TSM60NC196CI C0G
Número do Produto do Fabricante:

TSM60NC196CI C0G

Product Overview

Fabricante:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Número da Peça:

TSM60NC196CI C0G-DG

Descrição:

600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 70W (Tc) Through Hole ITO-220

Inventário:

3840 Pcs Novo Original Em Estoque
12991722
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

TSM60NC196CI C0G Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
196mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1535 pF @ 300 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
70W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
ITO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número do produto base
TSM60

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
1801-TSM60NC196CIC0G
Pacote padrão
2,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
onsemi

NTMFS4C908NAT3G

TRENCH 6 30V NCH

onsemi

NTMFS4C905NAT3G

TRENCH 6 30V NCH

onsemi

NVMYS007N10MCLTWG

PTNG 100V LL LFPAK4

onsemi

NTMFS4C910NAT1G

TRENCH 6 30V NCH